Крупный исследователь микрофтоэлектроники и теории эллипсометрии, директор Института физики полупроводников СО РАН (1990 -1998).
Его именем названа тропинка, соединяющая спортивный комплекс НГУ и жилмассив на улице Пирогова.
Биография
Свиташев родился 3 августа 1936 года в Ленинграде. Во время войны в семилетнем возрасте был эвакуирован из блокадного города в Новосибирск, где жил до окончания школы. Поступил на физический факультет Ленинградского университета, после его окончания работал в Государственном оптическом институте имени С.И.Вавилова.
Свиташев вернулся в 1962 году в Новосибирск. Начал работать Институте физики полупроводников, где прошел путь от аспиранта до генерального директора.
Он дважды избирался заместителем председателя Сибирского отделения РАН по научной работе, а с 1995 года был председателем Объединенного ученого совета по физико-математическим и техническим наукам Сибирского отделения РАН.
Свиташев – крупный специалист в области микрофотоэлектроники, электронных и физико-химических процессов на поверхности и границах раздела полупроводниковых структур, а также в теории и практическом использовании метода оптической эллипсометрии для исследования свойств поверхности твердых тел и контроля технологических процессов в производстве полупроводниковых приборов.
Интересные факты
Памятник Свиташеву на Южном кладбище в виде эллипса символизирует главную идею его работы – развитие науки об эллиптически поляризованном свете и применение этого явления при отражении для диагностики ультратонких покрытий на поверхности полупроводников
Любил стихи Пушкина. Будучи прикован к постели, он в январе 1999 года делился своими мыслями по поводу юбилея поэта со специалистами Пушкинского дома в Москве и пытался найти спонсоров для академического издания полного собрания сочинений Пушкина.
В последние годы работал над технологией получения кремния, позволяющей избавиться от импорта и делать компьютеры в России.
Воспоминания современников
В начале 1977 года в Институте физики полупроводников СО АН, куда я поступил в аспирантуру, уже была организована мощная работоспособная команда и приборная база для дальнейшего развития эллипсометрии. Поэтому спустя полгода я подошел к К.К. Свиташеву и сказал, что в этой области познания всё известно, всё сделано, и мне приложить свои силы некуда. Вот каков был ответ Константина Константиновича: «Отлично! Это хороший прогресс. Существует несколько этапов познания. Первый: когда ничего не понятно, очень много надо читать, работать, изучать все результаты, достигнутые предыдущими исследователями. Второй: когда все понятно, всё известно, всё освоено и сделано, и вам кажется, что нечего делать. Третий этап: когда вам хочется все сделать по-новому, по-другому, по-своему. Вы два этапа успешно прошли. Поздравляю. Пора взяться за третий этап [2].
Тимур Хасанов, кандидат физико-математических наук, ученик Свиташева
Вообще, Константину Константиновичу свойственно браться за дела, которые кажутся неразрешимыми. Он относится к редкому племени оптимистов-практиков. Когда все, собравшись вместе, говорят хором и громко: "Этого в России сделать нельзя", Свиташев тихо произносит: "Можно". И делает. Достаточно привести пример разработки технологии получения совершенных эпитаксиальных пленок тройных соединений "кадмий-ртуть-теллур". На протяжении двадцати лет эта проблема в СССР (затем в России) больше обсуждалась, чем решалась. В ОИФП СО РАН под руководством К.Свиташева эта задача была решена в течение пяти лет [5].
Георгий Курышев, доктор физико-математических наук, коллега Свиташева по Институту физики полупроводников